A当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的，称为耗尽型B在电力MOSFET中，N沟道增强型器件较多C对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型D可分为P沟道和N沟道